檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "黃柏仁".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="注入鎖定除頻器"
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此論文提出了三個使用主動電感的注入鎖定除頻器,它們分別使用了標準台積電0.35微米SiGe BiCMOS製程、0.35微米和0.18微米CMOS製程去實現。 主動電感負載電路因為沒有被動電感所以非常…
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本論文主要描述壓控振盪器與注入鎖定除頻器電路,其分別為“增強Q型電路之低功秏串疊電感電容的12 GHz壓控振盪器”、“雙頻段之多模注入鎖定除頻器”、 “耦合型三級環形振盪器之直接注入鎖定除三除頻器”…
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本論文主要描述二個以變壓器耦合為基礎之電路架構,其分別為“低功率壓控震盪器”以及“新式哈特萊3-D電感注入鎖定除頻器”。此二電路皆採用臺積電所提供之零點一八微米互補式金氧半製程所製造。其中新式低功率…
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此論文提出了二個壓控振盪器和四個注入鎖定除頻器,它們分別使用了標準台積電0.18微米和聯電0.18微米CMOS製程去實現。 在壓控振盪器裡,第一個振盪器是有背閘極耦合技術的互補式考畢子壓控振盪器。振…